《科技》Consumer DRAM價Q2估跌1成 長線反彈恐更不易

《科技》Consumer DRAM價Q2估跌1成 長線反彈恐更不易

據TrendForce表示,美國商務部去年10月7日頒佈半導體限制措施,針對大陸境內18nm製程(含)以下設備進口,需經商務部審查。其中SK海力士(SK hynix)無錫廠獲得一年的生產許可,但由於擔憂地緣政治風險升高,加上需求清淡導致庫存壓力持續,於今年第一季開始減產,該廠每月投片量減少約30%。

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TrendForce表示,無錫廠主流製程爲1Ynm,原先計劃將產能持續轉進1Znm,並降低舊制程產量。然而,未來製程轉進受限於美禁令影響,故SK海力士決議提升21nm產線比重,該製程主要產品爲DDR3、DDR4 4Gb。長期而言,SK海力士擴產重心將轉回韓國,無錫廠則用於供應大陸內需,以及較舊制程的Consumer DRAM市場。

DDR3、DDR4 4Gb佔SK海力士整體Consumer DRAM出貨不到三成,但由於SK海力士延長舊制程產線,小容量的Consumer DRAM供給量將會逐漸增加。分析臺系相關產品供應鏈,南亞科(2408)、華邦電(2344)以及協助IC設計廠代工的力積電(6770)都有供應DDR3 4Gb,DDR4 4Gb目前則以南亞科爲主。

以各廠製程節點角度來看,DDR3 4Gb三大廠與南亞科製程約爲20nm上下;在DDR4 4Gb方面,三星(Samsung)目前20nm與1Xnm都有供應,且有意於今年下半年轉進至1Znm,製程結構上最爲領先;美光(Micron)則無供應該容量顆粒;SK海力士與南亞科約20nm。整體來看,其他臺廠主流產品爲DDR3,且製程仍位於25nm節點,雖華邦電、力積電都在開發20nm中,但在量產前製程仍較爲落後。

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從今年第一季Consumer DRAM需求端來看,因電視庫存去化較早,因此SoC近期訂單小幅增加,需求相對好轉;車用需求雖有一定支撐,但目前市場規模仍小;網通需求能見度仍低,買方普遍保守看待,且認爲下半年訂單需求還會降低。整體需求尚未持穩,Consumer DRAM第二季價格恐持續下跌。值得注意的是,由於Consumer DRAM僅佔整體DRAM市場消耗量約8.5%,長期來看,SK無錫廠產能陸續開出後將對其他原廠造成供貨壓力,價格要反彈恐更困難。

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